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s8550三极管工作原理_s8550三极管参数 重点聚焦

2023-04-30 15:41:11 来源:互联网

1、集电极-基极电压Vcbo:-40V,工作温度:-55℃ to +150℃,最大集电极电流为1.5 A。

2、直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极发射电压(VCEO):25;频率:150MHz。


(资料图片仅供参考)

3、三极管8550是一种常用的普通三极管。

4、 它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管。

5、最大集电极电流为1.5 A。

6、1脚=E(发射极,带箭头的那个),2脚=B(基极),3脚=C(集电极)。

7、三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

8、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

9、扩展资料特征频率为当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能。

10、如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。

11、fT称作增益带宽积,即fT=βfo。

12、若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。

13、随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.电压/电流,用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。

14、VCEO为集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。

15、封装形式指定该管的外观形状,如果其它参数都正确,封装不同将导致组件无法在电路板上实现。

16、参考资料来源:百度百科-三极管8550。

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